NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G
Part Number:
NTLJF4156NT1G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19735 Pieces
Datový list:
NTLJF4156NT1G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro NTLJF4156NT1G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NTLJF4156NT1G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit NTLJF4156NT1G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:6-WDFN (2x2)
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 4.5V
Ztráta energie (Max):710mW (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:6-WDFN Exposed Pad
Ostatní jména:NTLJF4156NT1G-ND
NTLJF4156NT1GOSTR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:43 Weeks
Výrobní číslo výrobce:NTLJF4156NT1G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:427pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Rozšířený popis:N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):1.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tj)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře