FQI6N15TU
FQI6N15TU
Part Number:
FQI6N15TU
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13480 Pieces
Datový list:
FQI6N15TU.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro FQI6N15TU, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu FQI6N15TU e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit FQI6N15TU s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:I2PAK
Série:QFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3.2A, 10V
Ztráta energie (Max):3.75W (Ta), 63W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:FQI6N15TU
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 150V 6.4A (Tc) 3.75W (Ta), 63W (Tc) Through Hole I2PAK
Drain na zdroj napětí (Vdss):150V
Popis:MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:6.4A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře