IXTH64N65X
IXTH64N65X
Part Number:
IXTH64N65X
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16137 Pieces
Datový list:
IXTH64N65X.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXTH64N65X, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXTH64N65X e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXTH64N65X s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-247 (IXTH)
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:51 mOhm @ 32A, 10V
Ztráta energie (Max):890W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXTH64N65X
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:143nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře