IPW65R190C6FKSA1
IPW65R190C6FKSA1
Part Number:
IPW65R190C6FKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14166 Pieces
Datový list:
IPW65R190C6FKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPW65R190C6FKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPW65R190C6FKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPW65R190C6FKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 730µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO247-3
Série:CoolMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 7.3A, 10V
Ztráta energie (Max):151W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Ostatní jména:IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPW65R190C6FKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1620pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře