IPD65R1K0CEAUMA1
IPD65R1K0CEAUMA1
Part Number:
IPD65R1K0CEAUMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 650V TO-252
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15004 Pieces
Datový list:
IPD65R1K0CEAUMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD65R1K0CEAUMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD65R1K0CEAUMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD65R1K0CEAUMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 200µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 1.5A, 10V
Ztráta energie (Max):68W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:SP001421368
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:6 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPD65R1K0CEAUMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:328pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:15.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Rozšířený popis:N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V TO-252
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:7.2A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře