IPB180N10S402ATMA1
IPB180N10S402ATMA1
Part Number:
IPB180N10S402ATMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH TO263-7
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14094 Pieces
Datový list:
IPB180N10S402ATMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPB180N10S402ATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPB180N10S402ATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPB180N10S402ATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 275µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO263-7-3
Série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 100A, 10V
Ztráta energie (Max):300W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Ostatní jména:IPB180N10S402ATMA1DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:14 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPB180N10S402ATMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:14600pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH TO263-7
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře