EPC8004ENGR
EPC8004ENGR
Part Number:
EPC8004ENGR
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16765 Pieces
Datový list:
1.EPC8004ENGR.pdf2.EPC8004ENGR.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro EPC8004ENGR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu EPC8004ENGR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit EPC8004ENGR s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Technika:GaNFET (Gallium Nitride)
Dodavatel zařízení Package:Die
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:125 mOhm @ 500mA, 5V
Ztráta energie (Max):-
Obal:Tray
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-EPC8004ENGR
EPC8004ENGA
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:EPC8004ENGR
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:45pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:0.36nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 40V 4.4A (Ta) Surface Mount Die
Drain na zdroj napětí (Vdss):40V
Popis:TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:4.4A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře