DMN10H120SFG-7
DMN10H120SFG-7
Part Number:
DMN10H120SFG-7
Výrobce:
Diodes Incorporated
Popis:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16832 Pieces
Datový list:
DMN10H120SFG-7.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMN10H120SFG-7, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMN10H120SFG-7 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit DMN10H120SFG-7 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerDI3333-8
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 3.3A, 10V
Ztráta energie (Max):1W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-PowerWDFN
Ostatní jména:DMN10H120SFG-7DITR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:DMN10H120SFG-7
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:549pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:10.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře