TK12Q60W,S1VQ
TK12Q60W,S1VQ
Part Number:
TK12Q60W,S1VQ
Výrobce:
Toshiba Semiconductor
Popis:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14531 Pieces
Datový list:
TK12Q60W,S1VQ.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro TK12Q60W,S1VQ, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu TK12Q60W,S1VQ e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit TK12Q60W,S1VQ s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.7V @ 600µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:I-Pak
Série:DTMOSIV
RDS On (Max) @ Id, Vgs:340 mOhm @ 5.8A, 10V
Ztráta energie (Max):100W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Ostatní jména:TK12Q60WS1VQ
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:TK12Q60W,S1VQ
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 300V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Rozšířený popis:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře