SPP04N60C3HKSA1
SPP04N60C3HKSA1
Part Number:
SPP04N60C3HKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13319 Pieces
Datový list:
SPP04N60C3HKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SPP04N60C3HKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SPP04N60C3HKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SPP04N60C3HKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.9V @ 200µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO220-3-1
Série:CoolMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 2.8A, 10V
Ztráta energie (Max):50W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3
Ostatní jména:SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SPP04N60C3HKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře