SI8821EDB-T2-E1
SI8821EDB-T2-E1
Part Number:
SI8821EDB-T2-E1
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13987 Pieces
Datový list:
SI8821EDB-T2-E1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI8821EDB-T2-E1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI8821EDB-T2-E1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI8821EDB-T2-E1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:4-Microfoot
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:135 mOhm @ 1A, 4.5V
Ztráta energie (Max):500mW (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:4-XFBGA, CSPBGA
Ostatní jména:SI8821EDB-T2-E1TR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:24 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SI8821EDB-T2-E1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):2.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře