SI8481DB-T1-E1
Part Number:
SI8481DB-T1-E1
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15927 Pieces
Datový list:
SI8481DB-T1-E1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI8481DB-T1-E1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI8481DB-T1-E1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI8481DB-T1-E1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Série:TrenchFET® Gen III
RDS On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 3A, 4.5V
Ztráta energie (Max):2.8W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:4-UFBGA
Ostatní jména:SI8481DB-T1-E1DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SI8481DB-T1-E1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 20V 9.7A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):1.8V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Popis:MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.7A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře