RFN1L6STE25
RFN1L6STE25
Part Number:
RFN1L6STE25
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15492 Pieces
Datový list:
RFN1L6STE25.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro RFN1L6STE25, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RFN1L6STE25 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit RFN1L6STE25 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Napětí - Forward (VF) (Max) @-li:1.45V @ 800mA
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Dodavatel zařízení Package:PMDS
Rychlost:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Reverse Time Recovery (TRR):35ns
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:DO-214AC, SMA
Ostatní jména:RFN1L6STE25TR
Provozní teplota - spojení:150°C (Max)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:20 Weeks
Výrobní číslo výrobce:RFN1L6STE25
Rozšířený popis:Diode Standard 600V 800mA Surface Mount PMDS
Diode Type:Standard
Popis:DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Proud - zpìtný únikový @ Vr:1µA @ 600V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io):800mA
Kapacitní @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře