Koupit NDD05N50Z-1G s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 50µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | I-Pak |
Série: | - |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 83W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Ostatní jména: | NDD05N50Z-1G-ND NDD05N50Z-1GOS NDD05N50Z1G |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | NDD05N50Z-1G |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.5nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 500V 4.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-Pak |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 500V |
Popis: | MOSFET N-CH 500V 5A IPAK |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |