Koupit MRFE6VP6600GNR3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
MRFE6VP6600GNR3
- Part Number:
- MRFE6VP6600GNR3
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- TRANS RF LDMOS 600W 50V
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16841 Pieces
- Datový list:
- 1.MRFE6VP6600GNR3.pdf2.MRFE6VP6600GNR3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro MRFE6VP6600GNR3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu MRFE6VP6600GNR3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 50V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 133V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | OM-780G-4L |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 600W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | OM-780G-4L |
| Ostatní jména: | 935323761528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | MRFE6VP6600GNR3 |
| Získat: | 24.7dB |
| Frekvence: | 230MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24.7dB 600W OM-780G-4L |
| Popis: | TRANS RF LDMOS 600W 50V |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MRFE6VP6600GNR3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP61K25NR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | Dotaz |
 |
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Dotaz |
 |
MRFE6VP61K25HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | Dotaz |
|
MRFE6VP61K25GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS | Dotaz |
 |
MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | Dotaz |
 |
MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | Dotaz |
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Dotaz |
 |
MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | Dotaz |
|
MRFE6VP6300HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | Dotaz |
 |
MRFE6S9135HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 940MHZ NI-880 | Dotaz |
 |
MRFE6S9045GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | Dotaz |
|
MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Dotaz |
|
MRFE6VP61K25HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S | Dotaz |
|
MRFE6VP6300GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 50V 600MHZ NI780-4 | Dotaz |
|
MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | Dotaz |
|
MRFE6VP5600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers