IXTR32P60P
IXTR32P60P
Part Number:
IXTR32P60P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15199 Pieces
Datový list:
IXTR32P60P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXTR32P60P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXTR32P60P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXTR32P60P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 1mA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:ISOPLUS247™
Série:PolarP™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:385 mOhm @ 16A, 10V
Ztráta energie (Max):310W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:ISOPLUS247™
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXTR32P60P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:11100pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:196nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře