Koupit IXTH110N25T s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-247 (IXTH) |
Série: | - |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 55A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 694W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-247-3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | IXTH110N25T |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 9400pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 157nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 250V 110A (Tc) 694W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 250V |
Popis: | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |