Koupit IXGX120N60A3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXGX120N60A3
- Part Number:
- IXGX120N60A3
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- IGBT 600V 200A 780W PLUS247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16446 Pieces
- Datový list:
- 1.IXGX120N60A3.pdf2.IXGX120N60A3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXGX120N60A3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXGX120N60A3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 1.35V @ 15V, 100A |
| Zkušební podmínky: | 480V, 100A, 1.5 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 39ns/295ns |
| přepínání energie: | 2.7mJ (on), 6.6mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | PLUS247™-3 |
| Série: | GenX3™ |
| Power - Max: | 780W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXGX120N60A3 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | PT |
| Gate Charge: | 450nC |
| Rozšířený popis: | IGBT PT 600V 200A 780W Through Hole PLUS247™-3 |
| Popis: | IGBT 600V 200A 780W PLUS247 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 600A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 200A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXGX120N60A3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGX120N120B3 | IXYS | IGBT 1200V 200A 830W PLUS247 | Dotaz |
|
IXGX120N60C2 | IXYS | IGBT 600V 75A 830W PLUS TO-247 | Dotaz |
|
IXGX120N60B3 | IXYS | IGBT 600V 280A 780W PLUS247 | Dotaz |
|
IXGX12N90C | IXYS | IGBT 900V 24A 100W PLUS247 | Dotaz |
|
IXGX120N60B | IXYS | IGBT 600V 200A 660W TO247 | Dotaz |
|
IXGX120N120A3 | IXYS | IGBT 1200V 240A 830W PLUS247 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers