Koupit IXFT50N50P3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFT50N50P3
- Part Number:
- IXFT50N50P3
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13592 Pieces
- Datový list:
- IXFT50N50P3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFT50N50P3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFT50N50P3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-268 |
| Série: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 25A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 960W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFT50N50P3 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4335pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 85nC @ 0V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 500V 50A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 500V |
| Popis: | MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFT50N50P3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT50N85XHV | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | Dotaz |
 |
IPP045N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | Dotaz |
 |
IRF9540NPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB | Dotaz |
 |
IXTQ200N06P | IXYS | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P | Dotaz |
|
IXFT50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | Dotaz |
|
IXFT50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | Dotaz |
 |
IXFT58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | Dotaz |
 |
BSS138LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 | Dotaz |
|
IXFT52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 | Dotaz |
|
IRF1310NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB | Dotaz |
 |
STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO | Dotaz |
 |
IXFT52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 | Dotaz |
|
IXFT58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers