Koupit IXFT140N10P s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFT140N10P
- Part Number:
- IXFT140N10P
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18094 Pieces
- Datový list:
- IXFT140N10P.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFT140N10P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFT140N10P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-268 |
| Série: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 70A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 600W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFT140N10P |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4700pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 100V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
| Popis: | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 140A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFT140N10P
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT15N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 | Dotaz |
 |
IXFT18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 | Dotaz |
|
IXFT15N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT12N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) | Dotaz |
|
IXFT15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | Dotaz |
 |
IXFT12N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | Dotaz |
|
IXFT16N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 | Dotaz |
 |
IXFT12N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 | Dotaz |
|
IXFT18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT13N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT150N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT13N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 | Dotaz |
|
IXFT10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers