Koupit IXFN110N60P3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFN110N60P3
- Part Number:
- IXFN110N60P3
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16459 Pieces
- Datový list:
- IXFN110N60P3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFN110N60P3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFN110N60P3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-227B |
| Série: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 56 mOhm @ 55A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 1500W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Ostatní jména: | 625715 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFN110N60P3 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 18000pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 245nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Popis: | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 90A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFN110N60P3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN180N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 | Dotaz |
|
IXFN102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B | Dotaz |
|
IXFN170N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 | Dotaz |
|
IXFN140N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | Dotaz |
|
IXFN110N85X | IXYS | 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE | Dotaz |
|
IXFN170N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN130N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN150N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 | Dotaz |
|
IXFN180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | Dotaz |
 |
IXFN132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 | Dotaz |
|
IXFN140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B | Dotaz |
|
IXFN180N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN106N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B | Dotaz |
|
IXFN180N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers