IXFN100N20
IXFN100N20
Part Number:
IXFN100N20
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15337 Pieces
Datový list:
IXFN100N20.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFN100N20, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFN100N20 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXFN100N20 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 8mA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SOT-227B
Série:HiPerFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 500mA, 10V
Ztráta energie (Max):520W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:SOT-227-4, miniBLOC
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IXFN100N20
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:380nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 200V 100A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Drain na zdroj napětí (Vdss):200V
Popis:MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:100A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře