IXFK32N100P
IXFK32N100P
Part Number:
IXFK32N100P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16481 Pieces
Datový list:
IXFK32N100P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFK32N100P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFK32N100P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXFK32N100P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:6.5V @ 1mA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-264AA (IXFK)
Série:HiPerFET™, PolarP2™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 16A, 10V
Ztráta energie (Max):960W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-264-3, TO-264AA
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXFK32N100P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:14200pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:225nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 1000V (1kV) 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Drain na zdroj napětí (Vdss):1000V (1kV)
Popis:MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře