Koupit IXFH6N100 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFH6N100
- Part Number:
- IXFH6N100
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18519 Pieces
- Datový list:
- IXFH6N100.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFH6N100, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFH6N100 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Série: | HiPerFET™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 180W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFH6N100 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Popis: | MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFH6N100
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | Dotaz |
|
IXFH6N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | Dotaz |
|
IXFH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | Dotaz |
|
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | Dotaz |
|
IXFH6N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 | Dotaz |
|
IXFH69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 | Dotaz |
|
IXFH6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD | Dotaz |
|
IXFH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD | Dotaz |
 |
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | Dotaz |
|
IXFH60N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO247 | Dotaz |
 |
GP2M011A090NG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN | Dotaz |
|
IXFH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD | Dotaz |
|
IXFH60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | Dotaz |
|
IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers