Koupit IXFA4N100Q-TRL s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFA4N100Q-TRL
- Part Number:
- IXFA4N100Q-TRL
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 19487 Pieces
- Datový list:
- IXFA4N100Q-TRL.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFA4N100Q-TRL, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFA4N100Q-TRL e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-263 (IXFA) |
| Série: | HiPerFET™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 150W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | IXFA4N100Q TRL IXFA4N100Q-TRL-ND IXFA4N100Q-TRLTR IXFA4N100QTRL Q6067406 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFA4N100Q-TRL |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Popis: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFA4N100Q-TRL
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7807TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Dotaz |
 |
IXFA4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK | Dotaz |
 |
RTL030P02TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 | Dotaz |
 |
IPP80N06S209AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | Dotaz |
|
IXFA4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | Dotaz |
 |
IXFA4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3 | Dotaz |
 |
NP88N04NUG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 | Dotaz |
|
IXFA4N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA | Dotaz |
 |
FQPF4P40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 400V 2.4A TO-220F | Dotaz |
 |
SPI20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 | Dotaz |
 |
PMN25EN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP | Dotaz |
 |
AOW14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 14A TO262 | Dotaz |
 |
SI4396DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers