Koupit IRLS4030TRLPBF s BYCHPS
Koupit se zárukou
IRLS4030TRLPBF
- Part Number:
- IRLS4030TRLPBF
- Popis:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18957 Pieces
- Datový list:
- IRLS4030TRLPBF.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRLS4030TRLPBF, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRLS4030TRLPBF e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | D2PAK |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 370W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | IRLS4030TRLPBFTR SP001552944 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IRLS4030TRLPBF |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 11360pF @ 50V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
| Popis: | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRLS4030TRLPBF
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Dotaz |
 |
PSMN8R5-108ESQ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK | Dotaz |
 |
IRLS4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Dotaz |
|
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Dotaz |
 |
IXFX32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | Dotaz |
 |
STF3HNK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP | Dotaz |
 |
IRFU1010ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | Dotaz |
 |
IXTA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 | Dotaz |
 |
FDB5645 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB | Dotaz |
|
IXTA200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 | Dotaz |
 |
BUK9GTHP-55PJTR,51 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 28SOIC | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers