Koupit IRLHM620TR2PBF s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 1.1V @ 50µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PQFN (3x3) |
Série: | HEXFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
Obal: | Original-Reel® |
Paket / krabice: | 8-VQFN Exposed Pad |
Ostatní jména: | IRLHM620TR2PBFDKR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | IRLHM620TR2PBF |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3620pF @ 10V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 4.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 20V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
Popis: | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 26A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |