Koupit IPI80N03S4L03AKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2.2V @ 90µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO262-3 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 136W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Ostatní jména: | IPI80N03S4L-03 IPI80N03S4L-03-ND SP000273285 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IPI80N03S4L03AKSA1 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 9750pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 30V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
Popis: | MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |