IPI100N08N3GHKSA1
IPI100N08N3GHKSA1
Part Number:
IPI100N08N3GHKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12968 Pieces
Datový list:
IPI100N08N3GHKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPI100N08N3GHKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPI100N08N3GHKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPI100N08N3GHKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 46µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO262-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 46A, 10V
Ztráta energie (Max):100W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ostatní jména:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IPI100N08N3GHKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2410pF @ 40V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):80V
Popis:MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře