IPD30N08S222ATMA1
IPD30N08S222ATMA1
Part Number:
IPD30N08S222ATMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19859 Pieces
Datový list:
IPD30N08S222ATMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD30N08S222ATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD30N08S222ATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD30N08S222ATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 80µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:21.5 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):136W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:26 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPD30N08S222ATMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):75V
Popis:MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře