IPB65R190CFDAATMA1
IPB65R190CFDAATMA1
Part Number:
IPB65R190CFDAATMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH TO263-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18184 Pieces
Datový list:
IPB65R190CFDAATMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPB65R190CFDAATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPB65R190CFDAATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPB65R190CFDAATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4.5V @ 700µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO263
Série:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 7.3A, 10V
Ztráta energie (Max):151W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:SP000928264
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPB65R190CFDAATMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH TO263-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:17.5A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře