Koupit GP2M009A090NG s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-3PN |
Série: | - |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 312W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | GP2M009A090NG |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2740pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 900V 9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 900V |
Popis: | MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |