EPC2100ENG
EPC2100ENG
Part Number:
EPC2100ENG
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16769 Pieces
Datový list:
EPC2100ENG.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro EPC2100ENG, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu EPC2100ENG e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit EPC2100ENG s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 4mA
Dodavatel zařízení Package:Die
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 25A, 5V
Power - Max:-
Obal:Tray
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-EPC2100ENG
EPC2100ENGR_H1
EPC2100ENGRH1
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:EPC2100ENG
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:3.5nC @ 15V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Rozšířený popis:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře