EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT
Part Number:
EPC2032ENGRT
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19576 Pieces
Datový list:
EPC2032ENGRT.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro EPC2032ENGRT, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu EPC2032ENGRT e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit EPC2032ENGRT s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 11mA
Technika:GaNFET (Gallium Nitride)
Dodavatel zařízení Package:Die
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 30A, 5V
Ztráta energie (Max):-
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-EPC2032ENGRDKR
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:EPC2032ENGRT
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře