EPC2022ENGRT
EPC2022ENGRT
Part Number:
EPC2022ENGRT
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14306 Pieces
Datový list:
EPC2022ENGRT.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro EPC2022ENGRT, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu EPC2022ENGRT e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit EPC2022ENGRT s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 12mA
Technika:GaNFET (Gallium Nitride)
Dodavatel zařízení Package:Die
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 25A, 5V
Ztráta energie (Max):-
Obal:Cut Tape (CT)
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:EPC2022ENGRT
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:90A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře