Koupit DMTH8012LK3Q-13 s BYCHPS
Koupit se zárukou
DMTH8012LK3Q-13
- Part Number:
- DMTH8012LK3Q-13
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET NCH 80V 50A TO252
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18685 Pieces
- Datový list:
- DMTH8012LK3Q-13.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMTH8012LK3Q-13, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMTH8012LK3Q-13 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-252-4L |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 12A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 2.6W (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | DMTH8012LK3Q-13 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2051pF @ 40V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 46.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 80V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-4L |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 80V |
| Popis: | MOSFET NCH 80V 50A TO252 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMTH8012LK3Q-13
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 50A TO252 | Dotaz |
 |
IXFX320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 | Dotaz |
 |
DMTH8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 | Dotaz |
|
DMTH8012LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 80V 10A POWERDI | Dotaz |
 |
STL13NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT | Dotaz |
 |
BSO201SPNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC | Dotaz |
 |
STFW24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF | Dotaz |
 |
IXFB110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 | Dotaz |
 |
AUIRF2804S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | Dotaz |
 |
IPL65R725CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers