CSD23201W10
Part Number:
CSD23201W10
Výrobce:
Popis:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19783 Pieces
Datový list:
CSD23201W10.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro CSD23201W10, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu CSD23201W10 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit CSD23201W10 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:4-DSBGA (1x1)
Série:NexFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:82 mOhm @ 500mA, 4.5V
Ztráta energie (Max):1W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:4-UFBGA, DSBGA
Ostatní jména:296-24258-2
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:CSD23201W10
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 6V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Drain na zdroj napětí (Vdss):12V
Popis:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře