CSD13303W1015
Part Number:
CSD13303W1015
Výrobce:
Popis:
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Stav volného vedení / RoHS:
Obsahuje olovo a RoHS
dostupné množství:
18893 Pieces
Datový list:
CSD13303W1015.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro CSD13303W1015, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu CSD13303W1015 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit CSD13303W1015 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:6-DSBGA
Série:NexFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Ztráta energie (Max):1.65W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:6-UFBGA, DSBGA
Ostatní jména:296-39990-2
CSD13303W1015-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:6 Weeks
Výrobní číslo výrobce:CSD13303W1015
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:715pF @ 6V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:4.7nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):2.5V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):12V
Popis:MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře