Koupit AFT23H200-4S2LR6 s BYCHPS
Koupit se zárukou
AFT23H200-4S2LR6
- Part Number:
- AFT23H200-4S2LR6
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13805 Pieces
- Datový list:
- AFT23H200-4S2LR6.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro AFT23H200-4S2LR6, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu AFT23H200-4S2LR6 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | NI-1230-4LS2L |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 45W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | NI-1230-4LS2L |
| Ostatní jména: | 935311216128 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | AFT23H200-4S2LR6 |
| Získat: | 15.3dB |
| Frekvence: | 2.3GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.3GHz 15.3dB 45W NI-1230-4LS2L |
| Popis: | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AFT23H200-4S2LR6
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF888B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | Dotaz |
 |
MRF6S18100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 | Dotaz |
 |
PTRA093302DCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Dotaz |
 |
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | Dotaz |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | Dotaz |
 |
MRF7S27130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 | Dotaz |
|
AFT23S160W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ | Dotaz |
 |
BLF7G27L-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | Dotaz |
 |
ARF468AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET (VDMOS) | Dotaz |
|
AFT23S160W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 | Dotaz |
 |
ON5257,215 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | Dotaz |
|
MRF7S38010HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | Dotaz |
|
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers