Koupit A2I08H040NR1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
A2I08H040NR1
- Part Number:
- A2I08H040NR1
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- IC RF LDMOS AMP
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 12468 Pieces
- Datový list:
- A2I08H040NR1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro A2I08H040NR1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu A2I08H040NR1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-270WB-15 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 9W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| Ostatní jména: | 935316301528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | A2I08H040NR1 |
| Získat: | 30.7dB |
| Frekvence: | 920MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WB-15 |
| Popis: | IC RF LDMOS AMP |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro A2I08H040NR1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Dotaz |
 |
MRFE6S9130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | Dotaz |
 |
PTFA081501E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | Dotaz |
 |
2N5951 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 13MA TO92 | Dotaz |
|
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | Dotaz |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | Dotaz |
 |
BLF7G27L-75P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | Dotaz |
 |
A2I08H040GNR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Dotaz |
 |
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Dotaz |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Dotaz |
 |
BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | Dotaz |
|
MRF7S18125AHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780 | Dotaz |
 |
MRFE6S9200HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | Dotaz |
|
BLL6H1214LS-250,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers