ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA
Part Number:
ZXMN3A06DN8TA
Výrobce:
Diodes Incorporated
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19430 Pieces
Datový list:
ZXMN3A06DN8TA.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro ZXMN3A06DN8TA, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu ZXMN3A06DN8TA e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit ZXMN3A06DN8TA s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 250µA (Min)
Dodavatel zařízení Package:8-SOP
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:1.8W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ostatní jména:ZXMN3A06DN8TR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:10 Weeks
Výrobní číslo výrobce:ZXMN3A06DN8TA
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:796pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Rozšířený popis:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:4.9A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře