TK31N60W,S1VF
TK31N60W,S1VF
Part Number:
TK31N60W,S1VF
Výrobce:
Toshiba Semiconductor
Popis:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15606 Pieces
Datový list:
TK31N60W,S1VF.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro TK31N60W,S1VF, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu TK31N60W,S1VF e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit TK31N60W,S1VF s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.7V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-247
Série:DTMOSIV
RDS On (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 15.4A, 10V
Ztráta energie (Max):230W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Ostatní jména:TK31N60W,S1VF(S
TK31N60WS1VF
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Výrobní číslo výrobce:TK31N60W,S1VF
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Rozšířený popis:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře