STW30NM60ND
STW30NM60ND
Part Number:
STW30NM60ND
Výrobce:
ST
Popis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12398 Pieces
Datový list:
STW30NM60ND.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro STW30NM60ND, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu STW30NM60ND e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit STW30NM60ND s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-247-3
Série:FDmesh™ II
RDS On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 12.5A, 10V
Ztráta energie (Max):190W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Ostatní jména:497-8458-5
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:STW30NM60ND
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře