SIA911DJ-T1-GE3
SIA911DJ-T1-GE3
Part Number:
SIA911DJ-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14663 Pieces
Datový list:
SIA911DJ-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SIA911DJ-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SIA911DJ-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SIA911DJ-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power - Max:6.5W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SIA911DJ-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:355pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:12.8nC @ 8V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Standard
Rozšířený popis:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Popis:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře