Koupit SI3433CDV-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 6-TSOP |
Série: | TrenchFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 38 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) |
Obal: | Original-Reel® |
Paket / krabice: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Ostatní jména: | SI3433CDV-T1-GE3DKR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 24 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | SI3433CDV-T1-GE3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 10V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 8V |
Typ FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | P-Channel 20V 6A (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
Popis: | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |