RFN30TS6SGC11
RFN30TS6SGC11
Part Number:
RFN30TS6SGC11
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18355 Pieces
Datový list:
RFN30TS6SGC11.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro RFN30TS6SGC11, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RFN30TS6SGC11 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit RFN30TS6SGC11 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Napětí - Forward (VF) (Max) @-li:1.55V @ 30A
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max):600V
Dodavatel zařízení Package:TO-247
Rychlost:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Reverse Time Recovery (TRR):60ns
Obal:Bulk
Paket / krabice:TO-247-3
Provozní teplota - spojení:150°C (Max)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:10 Weeks
Výrobní číslo výrobce:RFN30TS6SGC11
Rozšířený popis:Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247
Diode Type:Standard
Popis:DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
Proud - zpìtný únikový @ Vr:10µA @ 600V
Proud - Průměrná Rektifikova (Io):30A
Kapacitní @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře