Koupit RFM01U7P(TE12L,F) s BYCHPS
Koupit se zárukou
RFM01U7P(TE12L,F)
- Part Number:
- RFM01U7P(TE12L,F)
- Výrobce:
- Toshiba Semiconductor
- Popis:
- MOSFET N-CH PW-MINI
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17966 Pieces
- Datový list:
- RFM01U7P(TE12L,F).pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro RFM01U7P(TE12L,F), máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RFM01U7P(TE12L,F) e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 7.2V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 20V |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Dodavatel zařízení Package: | PW-MINI |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 1.2W |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-243AA |
| Ostatní jména: | RFM01U7P(TE12LF)CT |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | RFM01U7P(TE12L,F) |
| Získat: | 10.8dB |
| Frekvence: | 520MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet N-Channel 7.2V 100mA 520MHz 10.8dB 1.2W PW-MINI |
| Popis: | MOSFET N-CH PW-MINI |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 1A |
| Aktuální - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RFM01U7P(TE12L,F)
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Dotaz |
 |
LET20030C | STMicroelectronics | FET RF 80V 2GHZ M243 | Dotaz |
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | Dotaz |
 |
BF256C_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 18MA TO92 | Dotaz |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | Dotaz |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | Dotaz |
 |
BLF6H10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | Dotaz |
 |
BLF546,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A | Dotaz |
|
ARF442 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | Dotaz |
 |
MRF6P9220HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 | Dotaz |
 |
BLF6G10LS-160RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | Dotaz |
 |
PD57006S | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | Dotaz |
 |
PTFB082817FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog