Koupit PTFA091503ELV4R0XTMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
PTFA091503ELV4R0XTMA1
- Part Number:
- PTFA091503ELV4R0XTMA1
- Popis:
- RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 15472 Pieces
- Datový list:
- PTFA091503ELV4R0XTMA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro PTFA091503ELV4R0XTMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu PTFA091503ELV4R0XTMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 30V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | H-33288-6 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 150W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Ostatní jména: | SP001422954 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | PTFA091503ELV4R0XTMA1 |
| Získat: | 17dB |
| Frekvence: | 920MHz ~ 960MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.25A 920MHz ~ 960MHz 17dB 150W H-33288-6 |
| Popis: | RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 10µA |
| Aktuální - Test: | 1.25A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PTFA091503ELV4R0XTMA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA091201GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | Dotaz |
 |
PTFA091503ELV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 | Dotaz |
|
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | Dotaz |
 |
PTFA091201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | Dotaz |
|
PTFA092211ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | Dotaz |
|
PTFA091201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | Dotaz |
|
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | Dotaz |
|
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | Dotaz |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | Dotaz |
|
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | Dotaz |
|
PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | Dotaz |
|
PTFA091201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog