Koupit NE3509M04-T2-A s BYCHPS
Koupit se zárukou
NE3509M04-T2-A
- Part Number:
- NE3509M04-T2-A
- Popis:
- FET RF 4V 2GHZ SOT-343
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13578 Pieces
- Datový list:
- 1.NE3509M04-T2-A.pdf2.NE3509M04-T2-A.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro NE3509M04-T2-A, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NE3509M04-T2-A e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 2V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 4V |
| Transistor Type: | HFET |
| Dodavatel zařízení Package: | M04 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 11dBm |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | SOT-343F |
| Ostatní jména: | NE3509M04-T2-A-ND NE3509M04-T2-ATR NE3509M04T2A |
| hluk Obrázek: | 0.4dB |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | NE3509M04-T2-A |
| Získat: | 17.5dB |
| Frekvence: | 2GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 17.5dB 11dBm M04 |
| Popis: | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 60mA |
| Aktuální - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NE3509M04-T2-A
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | Dotaz |
 |
MRFE6VS25GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 | Dotaz |
 |
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Dotaz |
 |
BLF6G27-45,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A | Dotaz |
 |
A2I25D025NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | Dotaz |
 |
BLC6G27-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET 28V SOT895A | Dotaz |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Dotaz |
|
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Dotaz |
|
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Dotaz |
 |
ATF-58143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | Dotaz |
 |
BLF888DSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B | Dotaz |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Dotaz |
 |
BLA8G1011L-300U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | Dotaz |
 |
MRFG35010NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ | Dotaz |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Dotaz |
 |
MRF8P9300HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog