Koupit IRLML2502TR s BYCHPS
Koupit se zárukou
IRLML2502TR
- Part Number:
- IRLML2502TR
- Popis:
- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
- Stav volného vedení / RoHS:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- dostupné množství:
- 14526 Pieces
- Datový list:
- IRLML2502TR.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRLML2502TR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRLML2502TR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | Micro3™/SOT-23 |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 1.25W (Ta) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | *IRLML2502TR IRLML2502 IRLML2502-ND IRLML2502CT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IRLML2502TR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Popis: | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IRLML2502TR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLML2502GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 | Dotaz |
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | Dotaz |
|
IRLML2402TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | Dotaz |
|
IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | Dotaz |
|
IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | Dotaz |
|
IRLML2803GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | Dotaz |
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | Dotaz |
|
IRLML2402GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3 | Dotaz |
|
IRLML2803TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | Dotaz |
|
IRLML5103GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | Dotaz |
|
IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | Dotaz |
|
IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | Dotaz |
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog